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三星高管预计明年HBM占DRAM产能近三成
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2026年9月29日，新浪财经援引消息报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。报道指出，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，因此扩大HBM产量可能限制标准DRAM的供应。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。截至目前，上述表态为三星方面对明年行业产能结构的预期，尚无其他厂商或机构给出同期对比口径，也未见该预期对应的具体产能数字披露。
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最新进展9月29日 11:49
三星执行副总裁Kim Taewoo预计，明年HBM将占行业DRAM晶圆总产能近30%，高于目前约20%。报道时间线
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9月29日
- 新浪财经 · 滚动三星高管预计明年HBM将占行业DRAM产能近30%
三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，扩大HBM产量可能限制标准DRAM的供应。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。
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