三星高管预计明年HBM将占行业DRAM产能近30%

三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，扩大HBM产量可能限制标准DRAM的供应。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。